Prozess- und Bauelementesimulation von Si:C-Nanobauelementen

Projektleiter: Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel Auftraggeber: SAB / GLOBALFOUNDRIES Dresden Autoren: Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel

Prozess- und Bauelementesimulation von Si:C-Nanobauelementen
Berechnetes Verspannungsprofil in einem n-MOSFET durch eingebettetes Si:C
Der Einsatz von Kohlenstoff findet in der Halbleiterindustrie vielfältige Anwendungen, vor allem als Co-Implantation zur Beeinflussung der Dotandendiffusion und in Form der Silizium-Kohlenstoff-Verbindung zur Erzeugung mechanischer Verspannungen, um die Ladungsträgerbeweglichkeiten zu erhöhen. Die Möglichkeiten, die technologische Integration und die Einschränkungen bei der Verwendung von Kohlenstoff für eine Steigerung der Leistungsfähigkeit des Transistors sind Gegenstand des Projektes. Aufgrund der immens steigenden Kosten sowie des Zeitfaktors bei experimentellen Durchläufen sind daher Prozess- und Bauelementesimulationen fester Bestandteil im Entwurfsprozess. Mit Hilfe der Prozess- und Bauelementesimulation lassen sich Zeit und Kosten durch Optimierungsrechnungen einsparen sowie die experimentellen Arbeiten hinsichtlich eines besseren physikalischen Verständnisses begleiten.