Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel

Arbeiten am ZAFT

• Publikation 01.01.2010 Detailed simulation study of embedded SiGe and Si:C S/D stressors in nano scaled SOI MOSFETs Flachowsky, S.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Klix, W.; Stenzel, R.; Ostermay, I.; Wei, A.; Höntschel, J.; Horstmann, M.:
• Publikation 01.01.2010 Effect of source/drain extension dopant species on device performance of non-diffuse embedded SiGe strained SOI P-MOSFETs. Illgen, R.; Flachowsky, S.; Herrmann, T.; Klix, W.; Stenzel, R.; Feudel, T.; Höntschel, J.; Horstmann, M.:
• Publikation 01.01.2010 Understanding strain-induced drive-current enhancement in strained-silicon n-MOSFET and p-MOSFET. Flachowsky, S.; Wei, A.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Höntschel, J.; Horstmann, M.; Klix, W.; Stenzel, R.;
• Drittmittelprojekt 01.01.2009 - 31.07.2010 Prozess- und Bauelementesimulation von Si:C-Nanobauelementen Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel Kooperationspartner: GLOBALFOUNDRIES Dresden Auftraggeber: SAB
• Drittmittelprojekt 01.06.2007 - 31.05.2010 Prozess- und Bauelementesimulationskonzept für 32 nm CMOSFET-Technologie Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel Kooperationspartner: GLOBALFOUNDRIES Dresden Auftraggeber: BMBF