Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel

Appointment: Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik Research focus at ZAFT: Theoretische Elektrotechnik

Recent works at ZAFT

  • Publikation 01/01/2010 Detailed simulation study of embedded SiGe and Si:C S/D stressors in nano scaled SOI MOSFETs Flachowsky, S.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Klix, W.; Stenzel, R.; Ostermay, I.; Wei, A.; Höntschel, J.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01/01/2010 Effect of source/drain extension dopant species on device performance of non-diffuse embedded SiGe strained SOI P-MOSFETs. Illgen, R.; Flachowsky, S.; Herrmann, T.; Klix, W.; Stenzel, R.; Feudel, T.; Höntschel, J.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01/01/2010 Stress memorization technique for n-MOSFETs: Where is the stress? Flachowsky, S.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Baldauf,T.; Wei, A.; Höntschel, J.; Klix, W.; Stenzel, R.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01/01/2010 Understanding strain-induced drive-current enhancement in strained-silicon n-MOSFET and p-MOSFET. Flachowsky, S.; Wei, A.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Höntschel, J.; Horstmann, M.; Klix, W.; Stenzel, R.;
  • Drittmittelprojekt 01/01/2009 - 07/31/2010 Prozess- und Bauelementesimulation von Si:C-Nanobauelementen Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel Funding body: SAB / GLOBALFOUNDRIES Dresden
  • Drittmittelprojekt 06/01/2007 - 05/31/2010 Prozess- und Bauelementesimulationskonzept für 32 nm CMOSFET-Technologie Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel Funding body: BMBF / GLOBALFOUNDRIES Dresden

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