Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel

Professur: Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik Fachgebiet am ZAFT: Theoretische Elektrotechnik

Arbeiten am ZAFT

  • Publikation 01.01.2010 Detailed simulation study of embedded SiGe and Si:C S/D stressors in nano scaled SOI MOSFETs. Flachowsky, S.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Klix, W.; Stenzel, R.; Ostermay, I.; Wei, A.; Höntschel, J.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01.01.2010 Effect of source/drain extension dopant species on device performance of non-diffuse embedded SiGe strained SOI P-MOSFETs. Illgen, R.; Flachowsky, S.; Herrmann, T.; Klix, W.; Stenzel, R.; Feudel, T.; Höntschel, J.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01.01.2010 Simulation of asymmetric doped high performance SOI MOSFETs for VLSI CMOS technologies. Herrmann, T.; Flachowsky, S.; Illgen, R.; Klix, W.; Stenzel, R.; Höntschel, J.; Feudel, T.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01.01.2010 Stress memorization technique for n-MOSFETs: Where is the stress? Flachowsky, S.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Baldauf,T.; Wei, A.; Höntschel, J.; Klix, W.; Stenzel, R.; Horstmann, M.:
  • Publikation 01.01.2010 Understanding strain-induced drive-current enhancement in strained-silicon n-MOSFET and p-MOSFET. Flachowsky, S.; Wei, A.; Illgen, R.; Herrmann, T.; Höntschel, J.; Horstmann, M.; Klix, W.; Stenzel, R.;
  • Drittmittelprojekt 01.01.2009 - 31.07.2010 Prozess- und Bauelementesimulation von Si:C-Nanobauelementen Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel Auftraggeber: SAB / GLOBALFOUNDRIES Dresden
  • Drittmittelprojekt 01.06.2007 - 31.05.2010 Prozess- und Bauelementesimulationskonzept für 32 nm CMOSFET-Technologie Prof. Dr.-Ing. habil. R. Stenzel Auftraggeber: BMBF / GLOBALFOUNDRIES Dresden

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